N2/Ti微空心阴极放电等离子体阴极溅射模拟

采用Monte Carlo方法模拟N2/Ti微空心阴极放电等离子体阴极溅射过程,其中,氮离子(N2+,N+)轰击阴极表面采用PIC/MC模型模拟.计算溅射钛原子的热化过程、钛原子的密度及其平均能量分布.结果表明,沿各方向溅射出的90%金属Ti原子所带的初始能量小于30 eV,其散射角主要分布在30°和60°之间;溅射Ti原子在离微空心阴极壁约0.04 mm处出现热化极大值.     

湍流中漫射目标偏振部分相干激光的闪烁特性

采用广义惠更斯-菲涅耳原理和矩阵光学理论,研究了湍流大气中偏振部分相干激光波束从发射机到目标和从目标到接收机双程路径的闪烁特性。将产生任意偏振光束的琼斯矩阵和ABCD传输矩阵进行结合,围绕接收机处波场四阶矩展开推导,得出双程路径下偏振部分相干激光波束在接收机处的闪烁指数表达式,数值分析了大气折射率结构常数、激光波束的波长、束宽、相干长度对接收机处光强闪烁指数的影响。结果表明:偏振部分相干激光波束的闪烁指数随着目标与发射机之间距离呈现先增大、到达峰值后逐渐减小的变化趋势;相干性差的光束产生的闪烁指数小,相干长度微小的变化将会产生较大的闪烁指数变化,相干性好的光束产生较大的闪烁指数,但是相干长度的变化对闪烁指数的影响很小。     

甲磺酸培氟沙星与氯冉酸的荷移反应

利用甲磺酸培氟沙星与氯冉酸在甲醇介质发生荷移反应,建立了荷移分光光度法测定甲磺酸培氟沙星含量的方法。结果表明,荷移反应生成1∶1型配合物,最大吸收波长为530nm,甲磺酸培氟沙星线性范围为2.25×10-8—3.38×10-6mol/L浓度内,回收率为98.7%—101.4%。     

超声-硝酸联合法提取褐煤腐植酸工艺

实验考察了超声、硝酸预处理、酸化程度、碱液浓度、反应温度、液固比、反应时间等对腐植酸提取率的影响,并通过正交设计选择最佳预氧化条件和褐煤腐植酸的最佳提取条件.结果表明;超声硝酸联合氧化法提取腐植酸的最佳条件为：超声频率80kHz,氧化温度50℃,硝酸液固比（mL/g）为5∶1,氧化时间90min,硝酸浓度1.5mol/L.     

极低频高压脉冲电场对萌发玉米种子超弱发光的影响

生物超弱发光是来自细胞的电磁信号,在揭示电磁生物学效应的机理研究中具有重要作用.为了研究极低频脉冲电场生物学效应及其机理,采用基于玉米细胞电位波动频率的1 Hz极低频高压脉冲电场处理萌发玉米种子,结果发现玉米种子的萌发过程明显加快,根长和芽长均有显著增长.对萌发种子的自发发光和延迟发光的测量结果显示,1 Hz极低频高压脉冲电场对萌发过程中玉米种子的自发发光和延迟发光积分强度都有明显的促进作用,表明1 Hz极低频高压脉冲电场加速了玉米种子萌发过程中的DNA合成和细胞代谢.     

高压拉曼光谱方法研究卟啉J-聚集体

本文利用金刚石对顶砧(DAC)和拉曼光谱技术,测量了四苯基卟啉J聚集体在13GPa内的高压拉曼光谱,根据各个拉曼谱带的频移-压强变化曲线得出在13GPa内Tpp J聚集体无相变发生,并且高波数(1010～1600cm-1)和低波数(230～330cm-1)区的斜率要远大于中等波数(380～1000cm-1)区,这表明对应于高波数和低波数区的化学键比中等波数区更具有易压缩性,并对体积的减小起着重要的作用。根据苯环ψ3C-C面内伸缩振动模式强度逐渐增强的现象提出了分子弹簧垫圈模型。此外,这种分子弹簧垫圈的劲度系数可以通过中位取代基团调控。     

蛋白质对纳米铕岛膜表面荧光的增强作用

将经硫辛酸修饰的铕纳米颗粒和蛋白质固定在石英玻璃表面或胶原蛋白隔离的石英玻璃表面,研究蛋白质对纳米铕岛膜荧光的增强作用.研究结果发现,在275nm激发波长下,铕纳米岛膜的荧光光谱与铕纳米颗粒溶液的荧光性质相似,且微量蛋白质的加入可以使铕纳米岛膜的荧光强度增强,但被石英玻璃片吸附后,铕纳米岛膜以及铕-蛋白质体系的荧光发射峰的位置由378.8nm红移至420nm,且胶原蛋白隔离铕纳米岛膜和滴加微量BSA蛋白质的荧光光谱相似,但荧光强度没有发生明显变化.     

大学物理实验课程建设的研究与实践

结合课程建设的实践,阐述了吉林大学大学物理实验分层次教学的课程体系,“层次化、自主化、研究化”的教学理念,教学团队的建设思路.构建本科生公共物理创新实践平台的实施措施及所取得的成效,介绍了网络教学与管理平台的构架及课程未来的建设目标.     

在光学实验中开设计算全息实验的探讨

计算全息能很好地实现传统光学全息干涉衍射过程的数字化模拟,与传统实验相比,实验参数调整方便,现象直观。将计算全息引入到光学实验教学中,可以突破传统实验的诸多限制,拓宽学生的专业知识面,促进学生的综合实验技能培养。     

Melting kinetics of bulk SiC using molecular dynamics simulation

The melting kinetics of bulk SiC is studied by using classical molecular dynamics simulation.The mean square displacement,diffusion coefficient,Lindemann index and non-Gaussian parameter are used to analyze the melt nucleation and macrokinetics in the melting process.Melting occurs when the superheated crystal spontaneously generates many Lindemann particles in which they coalesce together to form melt nucleation inside the crystal.The melting process is similar to the solidification process,but also experiences three processes such as nucleation,growth and relaxation.The melting process can be divided into premelting,accelerated melting and relaxation stages.Using the sectional method can properly reflect the kinetic characteristics of the melting process.